Читать книгу Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал онлайн

Все науки. №4, 2023

Международный научный журнал

Главный редактор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Оббозжон Хокимович Кулдашов

Иллюстратор Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Иллюстратор Боходир Хошимович Каримов

Дизайнер обложки Ибратжон Хатамович Алиев

Дизайнер обложки Раънохон Мукарамовна Алиева

Дизайнер обложки Боходир Хошимович Каримов

Научный руководитель Боходир Хошимович Каримов

Заместитель Научного руководителя Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Экономический руководитель Фаррух Муроджонович Шарофутдинов

Экономический консультант Ботирали Рустамович Жалолов

Корректор Гульноза Мухтаровна Собирова

Корректор Абдурасул Абдусолиевич Эргашев

Корректор Екатерина Александровна Вавилова


© Ибратжон Хатамович Алиев, иллюстрации, 2023

© Оббозжон Хокимович Кулдашов, иллюстрации, 2023

© Султонали Мукарамович Абдурахмонов, иллюстрации, 2023

© Боходир Хошимович Каримов, иллюстрации, 2023


ISBN 978-5-0060-3900-1 (т. 4)

ISBN 978-5-0059-5898-3

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

ОПТИЧЕСКАЯ И ЗВУКОВАЯ ПАМЯТЬ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ

УДК 535.215.31

Каримов Боходир Хошимович


Кандидат физико-математических наук, доцент физико-технического факультета Ферганского государственного университета

Каримов Шавкат Боходирович

Соискатель физико-технического факультета Ферганского государственного университета

Алиев Ибратжон Хатамович

Студент 3 курса факультета математики-информатики Ферганского государственного университета


Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан

Аннотация.

Ключевые слова:

Annotation.

Keywords:

Например, в однородном полупроводнике Демберовское (диффузионное) фото напряжение для сколь угодно большой интенсивности возбуждающего света не превышает значения [1].


(1)


g1c

Другим примером может служить возникающие фотонапряжение при освещении p-n —перехода [2].


(2)


gnpFnFp

Исключение из этого правила составляли лишь полупроводниковые текстуры в которых наблюдается эффект аномально больших фото напряжений (АФН эффект), обусловленный сложением элементарных фото-ЭДС Дембера (1) или элементарных фото-ЭДС (2), развивающихся на отдельных р-n —переходах текстуры [3].